360mA(Tj) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
90 V240 V250 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 欧姆 @ 200mA,0V6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
125 pF @ 25 V150 pF @ 25 V350 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta)1.6W(Tc)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C04-029 MB
DN3525N8-G
MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Microchip Technology
10,707
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.33612
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
360mA(Tj)
0V
6 欧姆 @ 200mA,0V
-
±20V
350 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-243AA(SOT-89)
TO-243AA
C04-029 MB
DN1509N8-G
MOSFET N-CH 90V 360MA TO243AA
Microchip Technology
3,110
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.91073
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
90 V
360mA(Tj)
0V
6 欧姆 @ 200mA,0V
-
±20V
150 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-243AA(SOT-89)
TO-243AA
C04-029 MB
TN2524N8-G
MOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
Microchip Technology
2,265
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.44075
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
360mA(Tj)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 500mA,10V
2V @ 1mA
±20V
125 pF @ 25 V
-
1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-243AA(SOT-89)
TO-243AA
显示
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360mA(Tj) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。