330mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-SIPMOS®TrenchFET®U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1 欧姆 @ 200mA,4.5V1.25 欧姆 @ 500mA,10V1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V2 欧姆 @ 330mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA1V @ 250µA2V @ 80µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.3 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 4 V3.57 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
17 pF @ 16 V28.7 pF @ 15 V30 pF @ 25 V43 pF @ 10 V49 pF @ 15 V78 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)250mW(Ta)360mW(Ta)400mW(Ta)800mW(Ta)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-SOT23SC-75ASSMUFMX2-DFN0606-3X2-DFN0806-3
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-XFDFNSC-75,SOT-416TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
135,425
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78375
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
330mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 330mA,10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5868
SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Vishay Siliconix
29,125
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.66447
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
330mA(Ta)
4.5V,10V
1.25 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
462,179
现货
1 : ¥1.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27050
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
330mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
1.2 nC @ 4 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
11,226
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51371
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
330mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
1.2 nC @ 4 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
SBR 3-DFN
DMP22D4UFA-7B
MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN0806H4
Diodes Incorporated
128,776
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.90303
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
330mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±8V
28.7 pF @ 15 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
3-XFDFN
DMP21D2UFA-7B
MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
Diodes Incorporated
28,360
现货
370,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.46034
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
330mA(Ta)
1.5V,4.5V
1 欧姆 @ 200mA,4.5V
1V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±8V
49 pF @ 15 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
X2-DFN0606-3
DMP22D5UFZ-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-
Diodes Incorporated
9,963
现货
240,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.24526
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
330mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.3 nC @ 4.5 V
±8V
17 pF @ 16 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
SOT-23-3
BSS83PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59203
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
330mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 330mA,10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5868
SI1022R-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.23521
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
330mA(Ta)
4.5V,10V
1.25 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
SOT-23-3
BSS83PE6327
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
330mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 330mA,10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 10

330mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。