32A（Ta），331A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IPTC017N12NM6ATMA1 OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥60.92000 剪切带（CT） 1,800 : ¥34.55637 卷带（TR）	OptiMOS™ 6	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	120 V	32A（Ta），331A（Tc）	8V，10V	1.7 毫欧 @ 150A，10V	3.6V @ 275µA	141 nC @ 10 V	±20V	11000 pF @ 60 V	-	3.8W（Ta），395W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-HDSOP-16-U01	16-PowerSOP 模块
IPTG017N12NM6ATMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥71.49000 剪切带（CT） 1,800 : ¥40.56794 卷带（TR）	OptiMOS™ 6	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	120 V	32A（Ta），331A（Tc）	8V，10V	1.7 毫欧 @ 150A，10V	3.6V @ 275µA	141 nC @ 10 V	±20V	11000 pF @ 60 V	-	3.8W（Ta），395W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-HSOG-8-1	8-PowerSMD，鸥翼