31A(Tj) 单 FET,MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
技术
SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
750 V1200 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
59 毫欧 @ 17A,18V104 毫欧 @ 10A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.8V @ 8.89mA5.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
60 nC @ 18 V63 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
+21V,-4V+22V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
785 pF @ 800 V1460 pF @ 500 V
功率耗散(最大值)
93W165W
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247-4LTO-263-7L
封装/外壳
TO-247-4TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SCT4026DW7HRTL
SCT4045DW7TL
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
675
现货
1 : ¥96.79000
剪切带(CT)
1,000 : ¥61.28442
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
750 V
31A(Tj)
18V
59 毫欧 @ 17A,18V
4.8V @ 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V,-4V
1460 pF @ 500 V
-
93W
175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SCT4026DRHRC15
SCT3080KRC15
1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
365
现货
1 : ¥120.03000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
31A(Tj)
18V
104 毫欧 @ 10A,18V
5.6V @ 5mA
60 nC @ 18 V
+22V,-4V
785 pF @ 800 V
-
165W
175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
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31A(Tj) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。