30A（Tj）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

PSMN040-100MSEX MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33 Nexperia USA Inc.	11,122 现货	1 : ¥7.63000 剪切带（CT） 1,500 : ¥3.34433 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	30A（Tj）	10V	36.6 毫欧 @ 10A，10V	4V @ 1mA	30 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 50 V	-	91W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	LFPAK33	SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
IAUZ30N06S5L140ATMA1 MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32 Infineon Technologies	24,415 现货	1 : ¥6.90000 剪切带（CT） 5,000 : ¥2.70442 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	30A（Tj）	-	14 毫欧 @ 15A，10V	2.2V @ 10µA	12.2 nC @ 10 V	±16V	888 pF @ 30 V	-	33W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PG-TSDSON-8-32	8-PowerTDFN
IAUZ30N08S5N186ATMA1 MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8 Infineon Technologies	4,890 现货	1 : ¥8.70000 剪切带（CT） 5,000 : ¥3.41689 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	30A（Tj）	6V，10V	18.6 毫欧 @ 15A，10V	3.8V @ 13µA	12.1 nC @ 10 V	±20V	759 pF @ 40 V	-	41W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PG-TSDSON-8-32	8-PowerTDFN
SCT3080ARC15 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	371 现货	1 : ¥93.50000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	650 V	30A（Tj）	18V	104 毫欧 @ 10A，18V	5.6V @ 5mA	48 nC @ 18 V	+22V，-4V	571 pF @ 500 V	-	134W	175°C（TJ）	通孔	TO-247-4L	TO-247-4
NTPF095N65S3H POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE onsemi	35 现货	1 : ¥54.67000 管件	SuperFET® III	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	30A（Tj）	10V	95 毫欧 @ 15A，10V	4V @ 2.8mA	58 nC @ 10 V	±30V	2833 pF @ 400 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220FP	TO-220-3 整包