30A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 15
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-OptiMOS™PerFET™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V6V,10V7V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 30A,10V1.45 毫欧 @ 50A,10V1.6 毫欧 @ 50A,10V1.7 毫欧 @ 20A,10V1.7 毫欧 @ 50A,10V1.8 毫欧 @ 50A,10V1.9 毫欧 @ 50A,10V1.95 毫欧 @ 50A,4.5V2 毫欧 @ 50A,10V2.1 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 350µA2V @ 110µA2V @ 250µA2V @ 85µA2.8V @ 120µA2.8V @ 95µA3V @ 250µA3.6V @ 250µA4V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
66 nC @ 5 V67 nC @ 10 V71 nC @ 10 V85 nC @ 4.5 V89 nC @ 10 V90 nC @ 10 V108 nC @ 10 V134 nC @ 10 V150 nC @ 10 V173 nC @ 10 V450 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4366 pF @ 15 V5200 pF @ 30 V5741 pF @ 15 V6500 pF @ 30 V8290 pF @ 15 V8800 pF @ 20 V9044 pF @ 25 V12000 pF @ 20 V13000 pF @ 10 V13000 pF @ 15 V24740 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.1W1.3W(Ta),113W(Tc)2.5W(Ta),125W(Tc)2.5W(Ta),139W(Tc)2.5W(Ta),156W(Tc)2.8W(Ta),104W(Tc)150W(Tc)306W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-PDFNU(4.9x5.75)PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-17POWERDI3333-8PowerDI5060-8TO-3PN
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8 FL
BSC016N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
39,487
现货
1 : ¥20.77000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.02215
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
1.6 毫欧 @ 50A,10V
2.8V @ 95µA
71 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-17
BSC014N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Infineon Technologies
9,330
现货
1 : ¥23.81000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.10725
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
1.45 毫欧 @ 50A,10V
2.8V @ 120µA
89 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-17
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC018N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
33,701
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.42326
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 85µA
150 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TQM019NH04CR RLG
TQM019NH04CR RLG
40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Taiwan Semiconductor Corporation
4,980
现货
1 : ¥24.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.01878
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Ta),100A(Tc)
7V,10V
1.9 毫欧 @ 50A,10V
3.6V @ 250µA
134 nC @ 10 V
±20V
9044 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
8-PDFNU(4.9x5.75)
8-PowerTDFN
TO-3P-3,TO-247-3
FDA8440
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PN
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.1 毫欧 @ 80A,10V
3V @ 250µA
450 nC @ 10 V
±20V
24740 pF @ 25 V
-
306W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
PG-TDSON-8-1
BSC019N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.71576
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Ta),100A(Tc)
10V
1.9 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 85µA
108 nC @ 10 V
±20V
8800 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PowerDI3333-8
DMT32M4LFG-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,000 : ¥3.12826
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
4366 pF @ 15 V
-
1.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMT32M4LFG-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥3.12825
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
4366 pF @ 15 V
-
1.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMT31M7LPS-13
MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060
Diodes Incorporated
0
现货
7,500
工厂
查看交期
2,500 : ¥4.17514
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
5741 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta),113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
DMTH31M7LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥4.70481
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±16V
5741 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta),113W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC019N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
5,000 : ¥7.39623
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
30A(Ta),100A(Tc)
2.5V,4.5V
1.95 毫欧 @ 50A,4.5V
1.2V @ 350µA
85 nC @ 4.5 V
±12V
13000 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
5,000 : ¥25.63369
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Ta),100A(Tc)
7V,10V
1.9 毫欧 @ 50A,10V
3.6V @ 250µA
134 nC @ 10 V
±20V
9044 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
8-PDFNU(4.9x5.75)
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC020N025S G
MOSFET N-CH 25V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
30A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 110µA
66 nC @ 5 V
±20V
8290 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC014N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
173 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC017N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Ta),100A(Tc)
10V
1.7 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 85µA
108 nC @ 10 V
±20V
8800 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
显示
/ 15

30A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。