300A(Tj) 单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
OptiMOS™ 5PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
80 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.1 毫欧 @ 100A,10V1.2 毫欧 @ 100A,10V1.4 毫欧 @ 100A,10V1.5 毫欧 @ 100A,10V2 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 230µA3.8V @ 275µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
124 nC @ 10 V187 nC @ 10 V216 nC @ 10 V231 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6970 pF @ 50 V13178 pF @ 40 V16011 pF @ 50 V16250 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
300W(Tc)375W(Tc)429W(Tj)
供应商器件封装
8-HPSOFPG-HDSOP-16-2
封装/外壳
8-PowerSFN16-PowerSOP 模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N10S5N015TATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
1,329
现货
1 : ¥57.96000
剪切带(CT)
1,800 : ¥32.88633
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tj)
6V,10V
1.5 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N011TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
1,952
现货
1 : ¥59.60000
剪切带(CT)
1,800 : ¥33.78630
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tj)
6V,10V
1.1 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N014TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
5,863
现货
1 : ¥54.18000
剪切带(CT)
1,800 : ¥28.00062
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tj)
6V,10V
1.4 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 230µA
187 nC @ 10 V
±20V
13178 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N012TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥55.58000
剪切带(CT)
1,800 : ¥31.53306
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tj)
6V,10V
1.2 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
8-HPSOF Top View
FDBL86062-F085AW
MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
onsemi
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tj)
10V
2 毫欧 @ 80A,10V
4.5V @ 250µA
124 nC @ 10 V
±20V
6970 pF @ 50 V
-
429W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
显示
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300A(Tj) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。