300A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 65
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageYAGEO XSEMI
系列
-HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Ultra X3NexFET™OptiMOS™OptiMOS™-5PowerTrench®StrongIRFET™TrenchT2™U-MOSIX-HXP10NA1R5XP8NA1R2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V45 V60 V80 V100 V200 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.4 毫欧 @ 150A,10V0.55 毫欧 @ 80A,10V0.57 毫欧 @ 80A,10V0.65 毫欧 @ 80A,10V0.72 毫欧 @ 100A,10V0.72 毫欧 @ 25A,10V0.74 毫欧 @ 100A,10V0.75 毫欧 @ 150A,10V0.76 毫欧 @ 100A,10V0.77 毫欧 @ 100A,10V0.82 毫欧 @ 25A,10V0.85 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.05V @ 1mA2.2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.2V @ 2mA2.3V @ 250µA2.4V @ 1mA2.4V @ 250µA3V @ 250µA3.3V @ 280µA3.5V @ 250µA3.5V @ 272µA3.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
86 nC @ 10 V89.8 nC @ 10 V109 nC @ 10 V110.2 nC @ 10 V112 nC @ 10 V121.35 nC @ 10 V122 nC @ 10 V124 nC @ 10 V133 nC @ 10 V145 nC @ 10 V147 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+20V,-10V±20V+22V,-4V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1500 pF @ 10 V4852 pF @ 15 V6100 pF @ 25 V6721 pF @ 12 V6970 pF @ 50 V7668 pF @ 15 V8117 pF @ 12 V8320 pF @ 12 V8420 pF @ 25 V8598 pF @ 15 V9600 pF @ 22.5 V9760 pF @ 50 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),170W(Tc)3.75W(Ta),333W(Tc)3.8W(Ta),250W(Tc)3.8W(Ta),300W(Tc)3.9W(Ta),166W(Tc)6W(Ta),300W(Tc)156W(Tc)158W(Tc)227W(Tc)238W(Tc)268W(Tc)291W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)175°C-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-DSOP Advance8-HPSOF8-VSON-CLIP(5x6)-LFPAK56; Power-SO8LFPAK56,Power-SO8LFPAK88(SOT1235)PG-HSOF-8-1PG-HSOG-8-1PLUS247™-3PLUS264™
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerWDFN-SC-100,SOT-669SOT-1023,4-LFPAKSOT-1235SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3 变式TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
65结果
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/ 65
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PSMNxRx-xxYx,115
PSMNR90-40YLHX
MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
5,108
现货
1 : ¥30.29000
剪切带(CT)
1,500 : ¥15.64072
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
300A(Tc)
4.5V,10V
0.94 毫欧 @ 25A,10V
2.05V @ 1mA
168 nC @ 10 V
±20V
12673 pF @ 20 V
肖特基二极管(体)
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56; Power-SO8
SOT-1023,4-LFPAK
8-PowerDFN
FDBL0150N80
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
onsemi
1,484
现货
1 : ¥40.39000
剪切带(CT)
2,000 : ¥19.64312
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tc)
10V
1.4 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
188 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 25 V
-
429W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
1,525
现货
1 : ¥43.02000
剪切带(CT)
2,000 : ¥20.95765
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tc)
6V,10V
1.2 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
8-PowerDFN
FDBL86561-F085
MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
onsemi
7,790
现货
2,000
工厂
1 : ¥43.76000
剪切带(CT)
2,000 : ¥21.29887
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300A(Tc)
10V
1.1 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
220 nC @ 10 V
±20V
13650 pF @ 30 V
-
429W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
5,915
现货
1 : ¥45.56000
剪切带(CT)
2,000 : ¥22.18449
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tc)
6V,10V
1.5 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
8-PowerDFN
FDBL86361-F085
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
onsemi
1,023
现货
18,000
工厂
1 : ¥47.61000
剪切带(CT)
2,000 : ¥23.19420
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tc)
10V
1.4 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
188 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 25 V
-
429W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
x-xSOF-8-1
IPT004N03LATMA1
MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
689
现货
1 : ¥48.68000
剪切带(CT)
2,000 : ¥23.67872
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
300A(Tc)
4.5V,10V
0.4 毫欧 @ 150A,10V
2.2V @ 250µA
163 nC @ 4.5 V
±20V
24000 pF @ 15 V
-
3.8W(Ta),300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
IPT059N15N3ATMA1
IPT007N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
10,095
现货
1 : ¥49.34000
剪切带(CT)
2,000 : ¥26.22168
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300A(Tc)
6V,10V
0.75 毫欧 @ 150A,10V
3.3V @ 280µA
287 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 30 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
1,753
现货
1 : ¥50.41000
剪切带(CT)
1,800 : ¥26.05702
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tc)
6V,10V
1.2 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD,鸥翼
x-xSOF-8-1
IPT012N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
9,368
现货
1 : ¥51.72000
剪切带(CT)
2,000 : ¥27.49290
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tc)
6V,10V
1.2 毫欧 @ 150A,10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
17000 pF @ 40 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
16,015
现货
1 : ¥56.23000
剪切带(CT)
2,000 : ¥29.89270
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tc)
6V,10V
1.5 毫欧 @ 150A,10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
8-PowerDFN
FDBL0200N100
MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
onsemi
2,698
现货
8,000
工厂
1 : ¥59.93000
剪切带(CT)
2,000 : ¥31.86458
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tc)
10V
2 毫欧 @ 80A,10V
4.5V @ 250µA
133 nC @ 10 V
±20V
9760 pF @ 50 V
-
429W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
IPT020N10N3ATMA1
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
2,707
现货
1 : ¥69.78000
剪切带(CT)
2,000 : ¥37.10576
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tc)
6V,10V
2毫欧 @ 150A,10V
3.5V @ 272µA
156 nC @ 10 V
±20V
11200 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-247 Plus X
IXFX300N20X3
MOSFET N-CH 200V 300A PLUS247-3
IXYS
380
现货
1 : ¥271.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
300A(Tc)
10V
4 毫欧 @ 150A,10V
4.5V @ 8mA
375 nC @ 10 V
±20V
23800 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
8-Power TDFN
CSD18510Q5B
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Texas Instruments
4,532
现货
1 : ¥18.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.27072
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
300A(Tc)
4.5V,10V
0.96 毫欧 @ 32A,10V
2.3V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 20 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN0R9-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
5,083
现货
1 : ¥18.88000
剪切带(CT)
1,500 : ¥8.94167
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
300A(Tc)
4.5V,10V
0.85 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 1mA
89.8 nC @ 10 V
±20V
6721 pF @ 12 V
-
238W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PSMNxRx-xxYx,115
PSMN0R9-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
19,939
现货
1 : ¥21.18000
剪切带(CT)
1,500 : ¥10.04895
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
300A(Tc)
4.5V,10V
0.87 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 1mA
109 nC @ 10 V
±20V
7668 pF @ 15 V
-
291W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56; Power-SO8
SOT-1023,4-LFPAK
TO-263
FDB0170N607L
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥34.81000
剪切带(CT)
800 : ¥21.01778
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300A(Tc)
10V
1.4 毫欧 @ 39A,10V
4V @ 250µA
243 nC @ 10 V
±20V
19250 pF @ 30 V
-
3.8W(Ta),250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
9,850
现货
1 : ¥49.50000
剪切带(CT)
2,000 : ¥26.31400
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
300A(Tc)
10V
0.77 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 230µA
287 nC @ 10 V
±20V
22945 pF @ 25 V
-
429W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
MCTL300N10YHE3-TP
MCTL300N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 300A TOLL-8L
Micro Commercial Co
43,393
现货
1 : ¥53.44000
剪切带(CT)
2,000 : ¥26.02154
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tc)
-
1.45 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
13258 pF @ 50 V
-
500W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLL-8L
8-PowerSFN
8-PowerDFN
FDBL86062-F085
MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
onsemi
3,799
现货
1 : ¥55.50000
剪切带(CT)
2,000 : ¥29.49730
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
300A(Tc)
10V
2 毫欧 @ 80A,10V
4.5V @ 250µA
124 nC @ 10 V
±20V
6970 pF @ 50 V
-
429W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
TO-264
IXFK300N20X3
MOSFET N-CH 200V 300A TO264
IXYS
161
现货
350
工厂
1 : ¥271.65000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
300A(Tc)
10V
4 毫欧 @ 150A,10V
4.5V @ 8mA
375 nC @ 10 V
±20V
23800 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
PSMNxRx-xxYx,115
PSMN0R7-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
7,663
现货
1 : ¥16.50000
剪切带(CT)
1,500 : ¥9.82451
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
300A(Tc)
4.5V,10V
0.72 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 1mA
110.2 nC @ 10 V
±20V
8320 pF @ 12 V
-
158W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56; Power-SO8
SOT-1023,4-LFPAK
8-Power TDFN
CSD18510Q5BT
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
Texas Instruments
551
现货
1 : ¥21.84000
剪切带(CT)
250 : ¥14.08396
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
300A(Tc)
4.5V,10V
0.96 毫欧 @ 32A,10V
2.3V @ 250µA
153 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 20 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMNR60-25YLHX
MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,015
现货
1 : ¥23.56000
剪切带(CT)
1,500 : ¥11.16575
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
-
300A(Tc)
4.5V,10V
700 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 2mA
147 nC @ 10 V
±20V
8117 pF @ 12 V
-
268W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
显示
/ 65

300A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。