3.8A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 38
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-aMOS™CoolMOS™ PFD7PowerMESH™QFET®SuperMESH3™TrenchFET®UniFET-II™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V100 V150 V200 V250 V500 V600 V620 V700 V800 V1000 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.9 毫欧 @ 17A,10V66 毫欧 @ 2.5A,4.5V126 毫欧 @ 2A,10V158 毫欧 @ 2.7A,10V700 毫欧 @ 3.8A,15V1.05 欧姆 @ 1A,10V1.1 欧姆 @ 1.9A,10V1.1 欧姆 @ 2.3A,10V1.2 欧姆 @ 1.9A,10V1.35 欧姆 @ 1.9A,10V1.4 欧姆 @ 1A,10V1.5 欧姆 @ 1.9A,10V1.5 欧姆 @ 700mA,10V1.95 欧姆 @ 1.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA4.1V @ 250µA4.5V @ 40µA4.5V @ 50µA5V @ 250µA6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.82 nC @ 10 V4.6 nC @ 10 V5.2 nC @ 5 V6.2 nC @ 5 V7.5 nC @ 10 V8 nC @ 10 V10.4 nC @ 10 V10.8 nC @ 10 V11 nC @ 10 V14 nC @ 10 V18 nC @ 10 V21 nC @ 10 V22 nC @ 10 V23 nC @ 8 V
Vgs(最大值)
±8V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
169 pF @ 400 V196 pF @ 50 V215 pF @ 25 V260 pF @ 25 V270 pF @ 25 V310 pF @ 25 V325 pF @ 25 V354 pF @ 100 V370 pF @ 50 V400 pF @ 25 V450 pF @ 25 V450 pF @ 50 V510 pF @ 25 V550 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),1.7W(Tc)2.1W(Ta),25W(Tc)2.4W(Ta),4.8W(Tc)2.5W(Ta),37W(Tc)2.5W(Ta),42W(Tc)3.13W(Ta),45W(Tc)3.6W(Tc)3.7W(Ta),52W(Tc)25W(Tc)28W(Tc)45W(Tc)48W(Tc)56W(Tc)70W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP8-SOICD2PAKDPAKI2PAKPG-TDSON-8-52PowerPAK® 1212-8SOT-23-3(TO-236)TO-220TO-220-3TO-220F-3TO-220FPTO-251ATO-251AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3 整包TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 全封装,I2PAKTO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
38结果
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/ 38
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2367DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
10,053
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10068
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.8A(Tc)
1.8V,4.5V
66 毫欧 @ 2.5A,4.5V
1V @ 250µA
23 nC @ 8 V
±8V
561 pF @ 10 V
-
960mW(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
41,248
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.8A(Tc)
6V,10V
1.05 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
666 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7119DN-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
9,807
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.8A(Tc)
6V,10V
1.05 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
666 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
D-PAK (TO-252AA)
IRFR224PBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Vishay Siliconix
2,372
现货
1 : ¥12.81000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
3.8A(Tc)
10V
1.1 欧姆 @ 2.3A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR224TRPBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Vishay Siliconix
1,700
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.56159
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
3.8A(Tc)
10V
1.1 欧姆 @ 2.3A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
STMicroelectronics
5,433
现货
1 : ¥15.11000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.80516
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
3.8A(Tc)
10V
1.95 欧姆 @ 1.9A,10V
4.5V @ 50µA
14 nC @ 10 V
±30V
450 pF @ 50 V
-
70W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
2,000
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.51381
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
3.8A(Tc)
10V
1.1 欧姆 @ 2.3A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
onsemi
800
现货
1 : ¥46.79000
剪切带(CT)
800 : ¥28.27443
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
3.8A(Tc)
10V
6.9 毫欧 @ 17A,10V
4V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
8775 pF @ 75 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
I2PakFP
STFI4N62K3
MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
STMicroelectronics
1,409
现货
1 : ¥10.43000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
3.8A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.9A,10V
4.5V @ 50µA
22 nC @ 10 V
±30V
550 pF @ 50 V
-
25W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-281(I2PAKFP)
TO-262-3 全封装,I2PAK
D²PAK
STB4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
STMicroelectronics
993
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.00953
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
3.8A(Tc)
10V
1.95 欧姆 @ 1.9A,10V
4.5V @ 50µA
14 nC @ 10 V
±30V
450 pF @ 50 V
-
70W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
Pkg 5540
SI3474DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
Vishay Siliconix
280
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.17284
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.8A(Tc)
4.5V,10V
126 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 50 V
-
3.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TDSON-8
IPLK60R1K5PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.22719
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.8A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 700mA,10V
4.5V @ 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
169 pF @ 400 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-52
8-PowerTDFN
TO-251AA
IRFU224PBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥12.31000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
3.8A(Tc)
10V
1.1 欧姆 @ 2.3A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-252AA
FQD5N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
onsemi
0
现货
2,000 : ¥1.84321
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.8A(Tc)
5V,10V
1.2 欧姆 @ 1.9A,10V
2V @ 250µA
6.2 nC @ 5 V
±20V
325 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
SI4102DY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
2,500 : ¥3.28216
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.8A(Tc)
6V,10V
158 毫欧 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 50 V
-
2.4W(Ta),4.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-251A
AOI1R4A70
MOSFET N-CH 700V 3.8A TO251A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
3,500 : ¥3.80278
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
3.8A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1A,10V
4.1V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
354 pF @ 100 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-251A
TO-251-3 短引线,IPAK
TO-262-3 Long Leads
STI4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
2,000 : ¥4.04048
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
3.8A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.9A,10V
4.5V @ 50µA
22 nC @ 10 V
±30V
550 pF @ 50 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
I2PAK
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-252, (D-Pak)
AOD450
MOSFET N-CH 200V 3.8A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.8A(Tc)
10V
700 毫欧 @ 3.8A,15V
6V @ 250µA
3.82 nC @ 10 V
±30V
215 pF @ 25 V
-
2.1W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR224TRLPBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
3,000 : ¥5.51381
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
3.8A(Tc)
10V
1.1 欧姆 @ 2.3A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
SI4102DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.8A(Tc)
6V,10V
158 毫欧 @ 2.7A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 50 V
-
2.4W(Ta),4.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220-F
STF4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220FP
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1,000 : ¥8.70831
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
3.8A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.9A,10V
4.5V @ 50µA
22 nC @ 10 V
±30V
550 pF @ 50 V
-
25W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
0
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.80280
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
3.8A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1A,10V
4.1V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
354 pF @ 100 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR224TRL
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥12.72818
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
3.8A(Tc)
10V
1.1 欧姆 @ 2.3A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
I-Pak
STU4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
STMicroelectronics
1
现货
1 : ¥13.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
620 V
3.8A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 1.9A,10V
4.5V @ 50µA
22 nC @ 10 V
±30V
550 pF @ 50 V
-
70W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-251(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
D-PAK (TO-252AA)
IRFR224
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
3.8A(Tc)
10V
1.1 欧姆 @ 2.3A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 38

3.8A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。