3.4A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 13
制造商
Goford SemiconductoronsemiVishay Siliconix
系列
-QFET®UniFET-II™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V100 V200 V250 V400 V450 V500 V600 V900 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
130 毫欧 @ 1A,10V165 毫欧 @ 2.5A,10V1.1 欧姆 @ 2A,10V1.2 欧姆 @ 2A,10V1.4 欧姆 @ 1.7A,10V1.6 欧姆 @ 1.7A,10V1.9 欧姆 @ 1.7A,10V2.5 欧姆 @ 1.7A,10V2.7 欧姆 @ 1.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.8 nC @ 10 V10.8 nC @ 10 V13 nC @ 10 V14 nC @ 10 V22 nC @ 10 V45 nC @ 10 V52 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
155 pF @ 15 V260 pF @ 25 V430 pF @ 25 V460 pF @ 25 V510 pF @ 25 V680 pF @ 25 V808 pF @ 50 V1880 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
2.28W(Tc)2.5W(Ta),45W(Tc)3W(Tc)3.13W(Ta),70W(Tc)30W(Tc)35W(Tc)38W(Tc)56W(Tc)70W(Tc)114W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOPIPAKSOT-23-6LTO-220-3TO-220F-3TO-252AATO-263(D2PAK)
封装/外壳
SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
SI3453DV-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
Vishay Siliconix
5,000
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82403
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.4A(Tc)
4.5V,10V
165 毫欧 @ 2.5A,10V
2.5V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
155 pF @ 15 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
G1K3N10LL
G1K3N10LL
MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Goford Semiconductor
2,850
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72729
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.4A(Tc)
4.5V,10V
130 毫欧 @ 1A,10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
808 pF @ 50 V
-
2.28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
TO-220F
FQPF5P20
MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.4A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 1.7A,10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
430 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-252AA
FQD5N40TM
MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
onsemi
0
现货
2,500 : ¥2.43410
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.4A(Tc)
10V
1.6 欧姆 @ 1.7A,10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
460 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FQD5N40TF
MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
onsemi
0
现货
2,000 : ¥2.59954
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.4A(Tc)
10V
1.6 欧姆 @ 1.7A,10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
460 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263
FQB4N50TM
MOSFET N-CH 500V 3.4A D2PAK
onsemi
0
现货
800 : ¥3.76371
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.4A(Tc)
10V
2.7 欧姆 @ 1.7A,10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
460 pF @ 25 V
-
3.13W(Ta),70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252AA
FDD4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3.4A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.7A,10V
5V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±25V
510 pF @ 25 V
-
114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Full Pack
IRFI734G
MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
450 V
3.4A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI624GPBF
MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
3.4A(Tc)
10V
1.1 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220AB Full Pack
IRFI734GPBF
MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
450 V
3.4A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220-3
FQP4N50
MOSFET N-CH 500V 3.4A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
3.4A(Tc)
10V
2.7 欧姆 @ 1.7A,10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
460 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
I-PAK
FQU5N40TU
MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
3.4A(Tc)
10V
1.6 欧姆 @ 1.7A,10V
5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
460 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220F
FQPF6N90
MOSFET N-CH 900V 3.4A TO220F
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
3.4A(Tc)
10V
1.9 欧姆 @ 1.7A,10V
5V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±30V
1880 pF @ 25 V
-
56W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
显示
/ 13

3.4A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。