3.1A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 43
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-FemtoFET™HEXFET®NexFET™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V55 V60 V75 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,8V2.5V,10V2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
36 毫欧 @ 3.1A,10V46 毫欧 @ 3.6A,4.5V53 毫欧 @ 4A,10V56 毫欧 @ 2A,4.5V60 毫欧 @ 3.1A,10V65 毫欧 @ 3.1A,10V65 毫欧 @ 3.9A,4.5V65 毫欧 @ 4.4A,4.5V75 毫欧 @ 4.2A,10V85 毫欧 @ 3.1A,4.5V88 毫欧 @ 3.1A,10V88 毫欧 @ 3.1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.35 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 5 V5.4 nC @ 10 V5.4 nC @ 4.5 V5.7 nC @ 10 V6 nC @ 4.5 V6.5 nC @ 10 V7.4 nC @ 10 V7.5 nC @ 4.5 V7.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V12V±12V±16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
195 pF @ 15 V275 pF @ 30 V303 pF @ 10 V330 pF @ 10 V330 pF @ 40 V350 pF @ 37.5 V400 pF @ 10 V416 pF @ 10 V443 pF @ 15 V460 pF @ 10 V505 pF @ 20 V510 pF @ 25 V540 pF @ 15 V550 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
380mW(Ta)478mW(Ta),8.36W(Tc)500mW(Ta)520mW(Ta)530mW(Ta),4.46W(Tc)700mW(Ta)750mW(Ta)780mW(Ta)1W(Ta)1.15W(Ta)1.25W(Ta)1.3W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装
3-PICOSTAR6-MicroFET(2x2)6-TSOP8-SO8-SOIC8-SOP1206-8 ChipFET™DFN1616-6WSC-70-6SOT-223SOT-223-3SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
3-XFDFN6-PowerWFDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-VDFN 裸露焊盘8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-70,SOT-323SC-74,SOT-457SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
43结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 43
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2343DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
21,535
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.98497
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
4.5V,10V
53 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT223-3L
IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Infineon Technologies
99,018
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.55212
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
3.1A(Ta)
4V,10V
65 毫欧 @ 3.1A,10V
2V @ 250µA
15.6 nC @ 5 V
±16V
510 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
61,610
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
-
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Ta)
1.8V,4.5V
100 毫欧 @ 3.1A,4.5V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CSDxxxxF4T
CSD17381F4
MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
31,428
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68510
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
1.8V,4.5V
109 毫欧 @ 500mA,8A
1.1V @ 250µA
1.35 nC @ 4.5 V
12V
195 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
100,177
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
-
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.1A(Ta)
4.5V,10V
88 毫欧 @ 3.1A,10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
505 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMN2065UWQ-7
MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
Diodes Incorporated
66,124
现货
525,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77918
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Ta)
1.5V,4.5V
56 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
400 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
22,268
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
-
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.1A(Ta)
4.5V,10V
88 毫欧 @ 3.1A,10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
505 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TSOT-26
DMP3105LVT-7
MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Diodes Incorporated
33,201
现货
123,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81628
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
2.5V,10V
75 毫欧 @ 4.2A,10V
1.5V @ 250µA
19.8 nC @ 10 V
±12V
839 pF @ 15 V
-
1.15W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO-236AB
PMV55ENEAR
MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
3,338
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04718
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.1A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.7V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
646 pF @ 30 V
-
478mW(Ta),8.36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2343DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,512
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89518
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
10V
53 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-3
ZXMN6A11GTA
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Diodes Incorporated
3,150
现货
103,000
工厂
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.49408
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.1A(Ta)
4.5V,10V
120 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
5.7 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 40 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
CSDxxxxF4T
CSD17381F4T
MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
38,111
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
250 : ¥4.34604
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
1.8V,4.5V
109 毫欧 @ 500mA,8V
1.1V @ 250µA
1.35 nC @ 4.5 V
12V
195 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN70XPX
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
10,909
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77918
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Ta)
1.5V,4.5V
88 毫欧 @ 3.1A,4.5V
900mV @ 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
550 pF @ 10 V
-
530mW(Ta),4.46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
118,591
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
-
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Ta)
1.8V,4.5V
100 毫欧 @ 3.1A,4.5V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 10 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23(TO-236)
SI2343DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
4,921
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89518
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
4.5V,10V
53 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
PJA3403_R1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
2,488
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
-
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
2.5V,10V
98 毫欧 @ 3.1A,10V
1.3V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±12V
443 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DFN1616-6W
RV4E031RPHZGTCR1
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
Rohm Semiconductor
5,852
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.49304
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
-
105 毫欧 @ 3.1A,10V
2.5V @ 1mA
4.8 nC @ 5 V
±20V
460 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
DFN1616-6W
6-PowerWFDFN
SOT-23-3
DMP2170U-7
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
Diodes Incorporated
1,670
现货
4,653,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70201
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V,4.5V
90 毫欧 @ 3.5A,4.5V
1.25V @ 250µA
7.8 nC @ 10 V
±12V
303 pF @ 10 V
-
780mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMN2055UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
6,000
现货
15,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63694
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V,4.5V
46 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
520mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
6-WDFN
FDFMA2P029Z
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V,4.5V
95 毫欧 @ 3.1A,4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
720 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.4W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-VDFN 裸露焊盘
SOT223-3L
AUIRLL024NTR
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
3.1A(Ta)
4V,10V
65 毫欧 @ 3.1A,10V
2V @ 250µA
15.6 nC @ 5 V
±16V
510 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
6-WDFN
FDFMA2P029Z-F106
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
onsemi
0
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V,4.5V
95 毫欧 @ 3.1A,4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
720 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-VDFN 裸露焊盘
SOT-323
DMN2055UW-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
750
现货
66,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60325
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V,4.5V
46 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
520mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
DMN2055UW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
30,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.49882
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V,4.5V
46 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
520mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
DMN2055UWQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
40,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.52667
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Ta)
2.5V,4.5V
46 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
520mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
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/ 43

3.1A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。