2A(Tj) 单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Infineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiUMW
系列
-DepletionOptiMOS™UMW
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V100 V650 V1700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V2.5V,4.5V4.5V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
50 毫欧 @ 2A,10V115 毫欧 @ 2A,4.5V280 毫欧 @ 2A,10V5.5 欧姆 @ 1A,10V6.5 欧姆 @ 1A,0V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.15V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA4V @ 200µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.8 nC @ 4.5 V7.2 nC @ 4.5 V14.5 nC @ 10 V110 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
311 pF @ 25 V520 pF @ 15 V560 pF @ 10 V3650 pF @ 10 V3650 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
375mW(Ta),2.4W(Tc)1.2W568W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-MCPH6-TSSOPSOT-223SOT-23TO-247(IXTH)TO-252(DPAK)TO-268AATP-FA带箔切割晶片
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO247
IXYS
222
现货
1 : ¥178.96000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1700 V
2A(Tj)
0V
6.5 欧姆 @ 1A,0V
-
110 nC @ 5 V
±20V
3650 pF @ 10 V
耗尽模式
568W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
SOT 23
SI2324A-TP
MOSFET N-CH 100V 2A SOT23
Micro Commercial Co
166,324
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71241
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2A(Tj)
4.5V,10V
280 毫欧 @ 2A,10V
2V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
520 pF @ 15 V
-
1.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-268
IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
IXYS
268
现货
1 : ¥247.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1700 V
2A(Tj)
-
6.5 欧姆 @ 1A,0V
-
110 nC @ 5 V
±20V
3650 pF @ 25 V
耗尽模式
568W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
SOT363
PMG85XPH
MOSFET P-CH 20V 2A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
5,340
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2A(Tj)
2.5V,4.5V
115 毫欧 @ 2A,4.5V
1.15V @ 250µA
7.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 10 V
-
375mW(Ta),2.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT363
PMG85XP,115
MOSFET P-CH 20V 2A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
2,667
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2A(Tj)
2.5V,4.5V
115 毫欧 @ 2A,4.5V
1.15V @ 250µA
7.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 10 V
-
375mW(Ta),2.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
3-MCPH
MCH3478-S-TL-H
MOSFET N-CH 2A 30V MCPH3
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
-
-
-
2A(Tj)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
3-MCPH
SC-70,SOT-323
DPAK_369C
SFT1423-S-TL-E
MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
-
-
-
2A(Tj)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
TP-FA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
2N65G
2N65G
SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
UMW
2,448
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.86093
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
2A(Tj)
10V
5.5 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±30V
311 pF @ 25 V
-
-
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
2N65L
2N65L
TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
UMW
2,499
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.30111
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
2A(Tj)
10V
5.5 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±30V
311 pF @ 25 V
-
-
150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL
IPC014N03L3X1SA1
MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
103,445 : ¥1.35967
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Tj)
10V
50 毫欧 @ 2A,10V
2.2V @ 250µA
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
带箔切割晶片
模具
MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL
IPC218N04N3X1SA1
MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL
Infineon Technologies
0
现货
6,195 : ¥17.84918
散装
散装
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2A(Tj)
10V
50 毫欧 @ 2A,10V
4V @ 200µA
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
带箔切割晶片
模具
显示
/ 11

2A(Tj) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。