28A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Infineon TechnologiesTexas Instruments
系列
-HEXFET®NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3V,8V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.6 毫欧 @ 30A,10V1.9 毫欧 @ 30A,10V2 毫欧 @ 30A,10V2.2 毫欧 @ 50A,10V2.6 毫欧 @ 25A,8V2.6 毫欧 @ 50A,10V2.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.55V @ 250µA1.9V @ 250µA2V @ 100µA2V @ 110µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18 nC @ 4.5 V20 nC @ 15 V25 nC @ 4.5 V44 nC @ 10 V58 nC @ 5 V64 nC @ 5 V93 nC @ 10 V110 nC @ 10 V173 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+10V,-8V+16V,-12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2600 pF @ 15 V2660 pF @ 12.5 V2800 pF @ 15 V3480 pF @ 15 V4490 pF @ 20 V7200 pF @ 15 V7490 pF @ 15 V8290 pF @ 15 V13000 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),125W(Tc)2.5W(Ta),69W(Tc)2.5W(Ta),96W(Tc)2.8W(Ta),104W(Tc)3.1W(Ta)3.2W(Ta)3.6W(Ta),156W(Tc)
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)8-VSONP(5x6)PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PG-TDSON-8-6
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC0901NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Infineon Technologies
32,385
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.89457
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
28A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.9 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD16403Q5A
MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Texas Instruments
14,708
现货
1 : ¥9.20000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.48009
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
28A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 20A,10V
1.9V @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
+16V,-12V
2660 pF @ 12.5 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
IRFH8307
ISC019N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Infineon Technologies
25,949
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.87858
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
28A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.9 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC020N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Infineon Technologies
18,852
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.21839
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
28A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
93 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC0901NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Infineon Technologies
796
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.49939
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
28A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
20 nC @ 15 V
±20V
2600 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17301Q5A
MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Texas Instruments
13,376
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.44932
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
28A(Ta),100A(Tc)
3V,8V
2.6 毫欧 @ 25A,8V
1.55V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
3480 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC016N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,727
现货
1 : ¥12.73000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.51065
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
28A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.6 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
173 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC022N03SG
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
28A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 110µA
64 nC @ 5 V
±20V
8290 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC022N03S
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
卷带(TR)
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
28A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 100µA
58 nC @ 5 V
±20V
7490 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8PQFN
IRFH5004TRPBF
MOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
28A(Ta),100A(Tc)
10V
2.6 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 150µA
110 nC @ 10 V
±20V
4490 pF @ 20 V
-
3.6W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerVDFN
8PQFN
IRFH5004TR2PBF
MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
28A(Ta),100A(Tc)
-
2.6 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 150µA
110 nC @ 10 V
-
4490 pF @ 20 V
-
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerVDFN
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28A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。