27A（Ta），120A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologies
系列
-AlphaSGT™HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
30 V120 V150 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 20A，10V4.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 50µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V270 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3180 pF @ 10 V16700 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），59W（Tc）10W（Ta），375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PQFN（5x6）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
IRFH8318TRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Infineon Technologies
19,425
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.41473
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
27A（Ta），120A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 20A，10V
2.35V @ 50µA
41 nC @ 10 V
±20V
3180 pF @ 10 V
-
3.6W（Ta），59W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
IRFH8318TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥9.61000
剪切带（CT）
-
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
27A（Ta），120A（Tc）
-
3.1 毫欧 @ 20A，10V
2.35V @ 50µA
41 nC @ 10 V
-
3180 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥55.85000
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
27A（Ta），120A（Tc）
6V，10V
4.8 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
16700 pF @ 75 V
-
10W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
0
现货
查看交期
1 : ¥55.85000
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
27A（Ta），120A（Tc）
6V，10V
4.8 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
16700 pF @ 75 V
-
10W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 4

27A（Ta），120A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。