单 FET,MOSFET

结果 : 40
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA(Ta)170mA(Ta)200mA(Ta)300mA(Ta)400mA(Ta)800mA(Ta)1.4A(Ta)1.8A(Ta)2A(Ta)3A(Ta)4A(Ta)6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,8V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 28A,10V2.2 毫欧 @ 24A,10V2.6 毫欧 @ 21A,10V5.6 毫欧 @ 14A,10V5.8 毫欧 @ 9A,10V8.2 毫欧 @ 10A,10V11.4 毫欧 @ 6.5A,10V11.4 毫欧 @ 8A,10V11.6 毫欧 @ 6.5A,10V15 毫欧 @ 5.5A,10V16 毫欧 @ 5.5A,10V18 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 100µA2.3V @ 1mA2.3V @ 200µA2.3V @ 300µA2.3V @ 500µA2.5V @ 100µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 4.2 V1.7 nC @ 4.5 V2 nC @ 4 V2 nC @ 4.5 V2.2 nC @ 4.2 V2.2 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 4.5 V9.5 nC @ 10 V15 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V+12V,-8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
17 pF @ 10 V40 pF @ 10 V55 pF @ 10 V126 pF @ 15 V130 pF @ 10 V153 pF @ 10 V177 pF @ 10 V190 pF @ 30 V200 pF @ 10 V340 pF @ 15 V436 pF @ 15 V600 pF @ 6 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)270mW(Ta)320mW(Ta)500mW(Ta)700mW(Ta),15W(Tc)700mW(Ta),17W(Tc)700mW(Ta),18W(Tc)1W(Ta)1.6W(Ta)1.6W(Ta),25W(Tc)1.6W(Ta),32W(Tc)1.6W(Ta),42W(Tc)1.6W(Ta),57W(Tc)1.6W(Ta),63W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)
供应商器件封装
6-UDFN(2x2)6-WCSPC(1.5x1.0)8-SOP Advance(5x5)8-SOP8-TSON Advance(3.1x3.1)CST3CST3BCST3CES6S-MiniSOT-23-3SOT-23FSSMUFM
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-SMD,无引线6-UDFN 裸露焊盘6-UFBGA,WLCSP8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)SC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SC-75,SOT-416SOT-23-3 扁平引线SOT-563,SOT-666SOT-723TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
40结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 40
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
60,919
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.24618
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
CST3
SC-101,SOT-883
4,906,067
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
6,271
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.59534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
548,819
现货
1 : ¥1.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.19992
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
3.9 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
317,398
现货
1 : ¥1.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.21990
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
13,142
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.23990
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
3.9 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
USM
SC-70,SOT-323
36,764
现货
1 : ¥1.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.25991
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
3.9 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
32,763
现货
1 : ¥1.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.25991
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
USM
SC-70,SOT-323
121,195
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.26669
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
18,038
现货
1 : ¥2.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.42672
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
270mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
S-Mini
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
22,432
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.75545
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
1.8A(Ta)
1.8V,8V
195 毫欧 @ 1A,8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
ES6
SOT-563,SOT-666
48,767
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.76804
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2A(Ta)
1.8V,8V
185 毫欧 @ 1A,8V
1.2V @ 1mA
2.2 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
UFM
SSM3K62TU,LXHF
SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
Toshiba Semiconductor and Storage
8,675
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81839
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
57 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
2 nC @ 4.5 V
±8V
177 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
12,370
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84357
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
57 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
2 nC @ 4.5 V
±8V
177 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
24,669
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59157
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
1.8V,4.5V
56 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 1mA
2.2 nC @ 4.5 V
+12V,-8V
200 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
12,984
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72004
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3A(Ta)
4.5V,10V
95 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 100µA
1.7 nC @ 4.5 V
±20V
126 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
29,446
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74886
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3A(Ta)
1.5V,4.5V
71 毫欧 @ 3A,4.5V
1V @ 1mA
2 nC @ 4 V
±8V
153 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
58,158
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.76325
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Ta)
4.5V,10V
28 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 100µA
3.4 nC @ 4.5 V
±20V
436 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
43,907
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.52776
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TA)
-
-
表面贴装型
CST3
SC-101,SOT-883
186,498
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.43099
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.4A(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
CST3
SC-101,SOT-883
84,557
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79204
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Ta)
4.5V,10V
38 毫欧 @ 4A,10V
2.5V @ 100µA
2.7 nC @ 4.5 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SC-75, SOT-416
SSM3K72KFS,LXHF
AUTO AEC-Q LOW RDSON SS MOS N-CH
Toshiba Semiconductor and Storage
5,490
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46703
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
0
现货
查看交期
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.62271
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4A(Ta)
1.8V,4.5V
55 毫欧 @ 4A,4.5V
-
-
±12V
190 pF @ 30 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
0
现货
查看交期
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.62271
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2A(Ta)
1.8V,8V
185 毫欧 @ 1A,8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
0
现货
查看交期
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.30089
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
150mA(Ta)
4.5V,10V
3.9 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
CST3C
SC-101,SOT-883
显示
/ 40

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。