单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
30 V100 V120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
880mA（Ta）12A（Ta），99A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 100A，10V8 毫欧 @ 50A，10V400 毫欧 @ 880mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1.6µA2.4V @ 112µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 10 V79 nC @ 10 V210 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
41 pF @ 15 V7400 pF @ 60 V13800 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）156W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7PG-TO220-3PG-TO252-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC0302LSATMA1
MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Infineon Technologies
9,943
现货
1 : ¥18.88000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.17576
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
12A（Ta），99A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 50A，10V
2.4V @ 112µA
79 nC @ 10 V
±20V
7400 pF @ 60 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
880mA（Ta）
4.5V，10V
400 毫欧 @ 880mA，10V
2V @ 1.6µA
0.7 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
0
现货
500 : ¥28.49910
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
10V
4.2 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
13800 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。