单 FET,MOSFET

结果 : 168
系列
-HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™OptiMOS™OptiMOS™ 3OptiMOS™ 5OptiMOS™-5OptiMOS™3OptimWatt™StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V55 V100 V120 V135 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA(Ta)900mA(Ta)1A(Tj)1.9A(Ta)2.3A(Ta)2.6A(Ta)3.4A(Ta),19A(Tc)3.6A(Ta)3.7A(Ta)4.3A(Ta)4.9A(Ta),28A(Tc)5A(Ta),27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.7 毫欧 @ 100A,10V3 毫欧 @ 100A,10V3.6 毫欧 @ 100A,10V3.8 毫欧 @ 100A,10V4.1 毫欧 @ 100A,10V4.4 毫欧 @ 87A,10V4.5 毫欧 @ 100A,10V4.8 毫欧 @ 100A,10V4.8 毫欧 @ 60A,10V5.1 毫欧 @ 60A,10V5.9 毫欧 @ 103A,10V5.9 毫欧 @ 96A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 10µA2.4V @ 10µA2.4V @ 112µA2.4V @ 72µA3V @ 83µA(典型值)4V @ 110µA4V @ 130µA4V @ 137µA4V @ 13µA4V @ 160µA4V @ 20µA4V @ 230µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2 nC @ 4.5 V2.9 nC @ 4.5 V3.9 nC @ 10 V4.8 nC @ 4.5 V5.6 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V6.9 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V8.7 nC @ 10 V11.6 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
88 pF @ 25 V160 pF @ 25 V210 pF @ 75 V220 pF @ 16 V300 pF @ 25 V330 pF @ 25 V350 pF @ 25 V380 pF @ 75 V388 pF @ 25 V420 pF @ 25 V430 pF @ 100 V510 pF @ 75 V
功率耗散(最大值)
300mW(Tc)1.25W(Ta)1.3W(Ta)2W(Ta)2.5W(Ta)2.8W(Ta)2.8W(Ta),57W(Tc)2.8W(Ta),78W(Tc)2.8W(Ta),89W(Tc)3W(Ta),140W(Tc)3.3W(Ta),125W(Tc)3.6W(Ta),104W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)-
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)8-SO8-SOICD2PAKD2PAK-7D2PAK(7-Lead)DIRECTFET™ MZDirectFET™ 等距 L8IPAK(TO-251AA)MG-WDSON-2,CanPAK M™Micro3™/SOT-23Micro6™(TSOP-6)
封装/外壳
3-WDSON8-PowerSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VQFN 裸露焊盘DirectFET™ 等容 MZDirectFET™ 等距 L8SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
168结果

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/ 168
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
53,163
现货
1 : ¥6.81000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
18A(Tc)
10V
150 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO252-3
IRFR9024NTRPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Infineon Technologies
22,703
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.17644
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
11A(Tc)
10V
175 毫欧 @ 6.6A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR220NTRPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Infineon Technologies
10,850
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.93392
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 2.9A,10V
4V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR9120NTRPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Infineon Technologies
28,084
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.37521
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6.6A(Tc)
10V
480 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
BSZ22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Infineon Technologies
20,998
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.89573
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
7A(Tc)
10V
225 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 13µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Infineon Technologies
444
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.88279
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
7A(Tc)
10V
225 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 13µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO252-3
IRFR5305TRPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Infineon Technologies
13,570
现货
1 : ¥10.75000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.43687
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
31A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IRF7815TRPBF
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Infineon Technologies
8,646
现货
1 : ¥10.75000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.45271
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
5.1A(Ta)
10V
43 毫欧 @ 3.1A,10V
5V @ 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1647 pF @ 75 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-Power TDFN
BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Infineon Technologies
13,182
现货
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.46706
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
13A(Tc)
8V,10V
90 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 20µA
7 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 75 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO252-3
IRFR6215TRPBF
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Infineon Technologies
11,746
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.76625
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
13A(Tc)
10V
295 毫欧 @ 6.6A,10V
4V @ 250µA
66 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR5410TRPBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Infineon Technologies
17,219
现货
1 : ¥11.58000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.78094
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13A(Tc)
10V
205 毫欧 @ 7.8A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
66W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IRF7820TRPBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Infineon Technologies
3,876
现货
1 : ¥12.15000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.01751
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.7A(Ta)
10V
78 毫欧 @ 2.2A,10V
5V @ 100µA
44 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO252-3
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Infineon Technologies
15,841
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.94647
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
33A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 21A,10V
5V @ 100µA
26 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
BSZ520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Infineon Technologies
15,329
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.24534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
21A(Tc)
8V,10V
52 毫欧 @ 18A,10V
4V @ 35µA
12 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 75 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO252-3
IRFR4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Infineon Technologies
4,815
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.13948
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
24A(Tc)
10V
78 毫欧 @ 15A,10V
5V @ 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 50 V
-
144W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC190N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Infineon Technologies
27,106
现货
1 : ¥13.87000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.00631
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
8.6A(Ta),44A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 39A,10V
4V @ 42µA
34 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 60 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
IPAK (TO-251)
IRFU4615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
Infineon Technologies
6,428
现货
1 : ¥15.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
33A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 21A,10V
5V @ 100µA
26 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
PG-TDSON-8-1
BSC360N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Infineon Technologies
15,683
现货
1 : ¥15.60000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.76413
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
33A(Tc)
8V,10V
36 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 45µA
15 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 75 V
-
74W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB144N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Infineon Technologies
5,214
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
1,000 : ¥7.67804
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
56A(Ta)
10V
14.4 毫欧 @ 56A,10V
4V @ 61µA
49 nC @ 10 V
±20V
3220 pF @ 60 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-Power TDFN
BSZ900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Infineon Technologies
34,274
现货
1 : ¥16.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.04539
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
15.2A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 7.6A,10V
4V @ 30µA
11.6 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 100 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Infineon Technologies
48,073
现货
1 : ¥16.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.14944
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
50A(Tc)
8V,10V
20 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
IRF3415PBF
MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
Infineon Technologies
6,879
现货
1 : ¥17.57000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
43A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 22A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IRF6614TR1PBF
IRF6643TRPBF
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Infineon Technologies
10,553
现货
1 : ¥17.73000
剪切带(CT)
4,800 : ¥7.70557
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
6.2A(Ta),35A(Tc)
10V
34.5 毫欧 @ 7.6A,10V
4.9V @ 150µA
55 nC @ 10 V
±20V
2340 pF @ 25 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MZ
DirectFET™ 等容 MZ
TO252-3
IPD110N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Infineon Technologies
9,283
现货
1 : ¥19.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.88995
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
75A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 75A,10V
3V @ 83µA(典型值)
65 nC @ 10 V
±20V
4310 pF @ 60 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TSDSON-8
BSZ300N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Infineon Technologies
12,206
现货
1 : ¥21.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.20953
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
32A(Tc)
8V,10V
30 毫欧 @ 16A,10V
4.6V @ 32µA
13 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 75 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。