单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A（Ta）40A（Tc）200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.6 毫欧 @ 90A，10V10.6 毫欧 @ 20A，10V39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 300µA3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 4.5 V33 nC @ 10 V57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1020 pF @ 10 V2040 pF @ 50 V5060 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）75W（Tc）250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
DPAKSOT-23-3（TO-236）TO-263（DDPAK-3）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2323DS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Vishay Siliconix
53,775
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.20355
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.7A（Ta）
1.8V，4.5V
39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
1V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
±8V
1020 pF @ 10 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DDPAK/TO-263-3
CSD19532KTTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Texas Instruments
9,817
现货
1 : ¥15.93000
剪切带（CT）
50 : ¥12.59480
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200A（Ta）
6V，10V
5.6 毫欧 @ 90A，10V
3.2V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
5060 pF @ 50 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
DPAK+
TK110P10PL,RQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
913
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.04192
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
4.5V，10V
10.6 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 300µA
33 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 50 V
-
75W（Tc）
175°C
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。