单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA（Ta）350mA（Ta）3.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.05 欧姆 @ 1A，10V2.8 欧姆 @ 200mA，10V7.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 5 V1 nC @ 10 V25 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.6 pF @ 10 V36 pF @ 25 V666 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），3.1W（Tc）360mW（Ta），2.7W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
DFN1006B-3PowerPAK® 1212-8SOT-883
封装/外壳
3-XFDFNPowerPAK® 1212-8SC-101，SOT-883
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
70,698
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.26304
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
3-XQFN
BSS84AKMB,315
MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
23,010
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.49089
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
230mA（Ta）
10V
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
360mW（Ta），2.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
PowerPAK 1212-8
SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
41,244
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
3.8A（Tc）
6V，10V
1.05 欧姆 @ 1A，10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
666 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。