单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronics
系列
-CoolMOS™ P7SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V800 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA（Ta）5.2A（Tc）14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
380 毫欧 @ 900mA，10V450 毫欧 @ 7.2A，10V1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250µA3.5V @ 360µA4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.6 nC @ 10 V35 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
101 pF @ 30 V1053 pF @ 400 V1138 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
323mW（Ta），554mW（Tc）104W（Tc）125W（Tc）
供应商器件封装
D2PAKPG-TO252-3TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV450ENEAR
MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
44,180
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47458
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
800mA（Ta）
4.5V，10V
380 毫欧 @ 900mA，10V
2.7V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
101 pF @ 30 V
-
323mW（Ta），554mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Infineon Technologies
6,061
现货
1 : ¥20.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.04154
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
14A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 7.2A，10V
3.5V @ 360µA
35 nC @ 10 V
±20V
1053 pF @ 400 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
D²PAK
STB9NK80Z
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
STMicroelectronics
926
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.99621
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
5.2A（Tc）
10V
1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
4.5V @ 100µA
40 nC @ 10 V
±30V
1138 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。