单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
OptiMOS®-P2OptiMOS™TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A（Tc）120A（Tc）140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 90A，10V3.4 毫欧 @ 100A，10V9 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 340µA2.8V @ 95µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
71 nC @ 10 V200 nC @ 10 V234 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5200 pF @ 30 V13500 pF @ 25 V15000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），167W（Tc）136W（Tc）298W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1PG-TO252-3TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
IXTP140P05T
MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Littelfuse Inc.
9,268
现货
1 : ¥61.74000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
140A（Tc）
10V
9 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±15V
13500 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO252-3
IPD025N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Infineon Technologies
10,242
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.49209
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
6V，10V
2.5 毫欧 @ 90A，10V
2.8V @ 95µA
71 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 30 V
-
3W（Ta），167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO220-3
IPP120P04P4L03AKSA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Infineon Technologies
648
现货
1 : ¥30.29000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 100A，10V
2.2V @ 340µA
234 nC @ 10 V
+5V，-16V
15000 pF @ 25 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。