单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta），73A（Tc）21A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，8V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 16A，10V10.5 毫欧 @ 11A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.7V @ 250µA1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.2 nC @ 4.5 V54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
700 pF @ 15 V3640 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），63W（Tc）3W（Ta）
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）8-VSONP（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-VSONP
CSD17581Q3A
MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON
Texas Instruments
6,811
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.33329
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta）
4.5V，10V
3.8 毫欧 @ 16A，10V
1.7V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
3640 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD17307Q5A
MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Texas Instruments
5,234
现货
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.45581
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），73A（Tc）
3V，8V
10.5 毫欧 @ 11A，8V
1.8V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
700 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。