单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
55 V100 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.8A（Tc）7A（Tc）31A（Tc）185A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 80A，10V65 毫欧 @ 16A，10V600 毫欧 @ 4.1A，10V1.3 欧姆 @ 3A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.3 nC @ 20 V18 nC @ 10 V63 nC @ 10 V69 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
133 pF @ 1000 V390 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V3240 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
60W（Tc）96W（Tc）110W（Tc）300W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HPSOFHiP247™TO-220ABTO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerSFNTO-220-3TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRFR5305TRPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Infineon Technologies
14,722
现货
1 : ¥10.75000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.43687
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-HPSOF Top View
FDBL86066-F085
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
onsemi
4,480
现货
1 : ¥28.82000
剪切带（CT）
2,000 : ¥14.04041
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
185A（Tc）
10V
4.1 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
3240 pF @ 50 V
-
300W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
TO-220AB
IRF9520PBF
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Vishay Siliconix
9,019
现货
1 : ¥10.18000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.8A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 4.1A，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 25 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
564
现货
1 : ¥111.65000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
7A（Tc）
20V
1.3 欧姆 @ 3A，20V
3.5V @ 1mA
13.3 nC @ 20 V
+22V，-10V
133 pF @ 1000 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 200°C（TJ）
通孔
HiP247™
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。