单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.8A（Tc）7A（Ta），18.2A（Tc）26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 5A，10V40 毫欧 @ 26A，10V800 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V18.6 nC @ 10 V53.1 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
260 pF @ 25 V1285 pF @ 75 V2569 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta）2.5W（Ta），42W（Tc）63W（Tc）
供应商器件封装
SOT-223-3TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
DMP6023LE-13
MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
Diodes Incorporated
47,724
现货
462,500
工厂
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.48122
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7A（Ta），18.2A（Tc）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
TO-252AA
FDD390N15A
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
onsemi
18,549
现货
1 : ¥10.59000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.39358
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
26A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 26A，10V
4V @ 250µA
18.6 nC @ 10 V
±20V
1285 pF @ 75 V
-
63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SIHFR220TRL-GE3
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
在售
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
4.8A（Tc）
10V
800 毫欧 @ 2.9A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。