单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）2.5A（Ta）3A（Ta）7.2A（Ta），23.6A（Tc）40A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 150A，10V22 毫欧 @ 12A，10V50 毫欧 @ 7A，10V95 毫欧 @ 2A，10V300 毫欧 @ 2.5A，10V1 欧姆 @ 300mA，10V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V25 nC @ 10 V41 nC @ 10 V211 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 25 V45 pF @ 5 V126 pF @ 15 V601 pF @ 30 V1377 pF @ 30 V1870 pF @ 20 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）350mW（Ta）1W（Ta）1.9W（Ta）2.5W（Ta），62.5W（Tc）3W（Ta）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1SOT-223-4SOT-23-3（TO-236）SOT-23FTO-252-3TO-252（DPAK）
封装/外壳
8-PowerSFNSOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
393,766
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
49,762
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.63882
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT223-3L
NDT2955
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
onsemi
2,800
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.06650
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
300 毫欧 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
601 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
15,829
现货
1 : ¥56.23000
剪切带（CT）
2,000 : ¥29.89270
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
SOT 23-3
MMBF0201NLT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
onsemi
33,204
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78246
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
1 欧姆 @ 300mA，10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
45 pF @ 5 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
12,974
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.72004
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3A（Ta）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
1.7 nC @ 4.5 V
±20V
126 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
TO-252-2
DMPH6050SK3-13
MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Diodes Incorporated
34,869
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.02160
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.2A（Ta），23.6A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1377 pF @ 30 V
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。