单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A（Ta），433A（Tc）300A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.4 毫欧 @ 150A，10V0.62 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.2V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
145 nC @ 10 V163 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10500 pF @ 15 V24000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），300W（Tc）3.9W（Ta），200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PG-HSOF-8-1
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN，5 引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
x-xSOF-8-1
IPT004N03LATMA1
MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
2,689
现货
1 : ¥48.68000
剪切带（CT）
2,000 : ¥23.67872
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
300A（Tc）
4.5V，10V
0.4 毫欧 @ 150A，10V
2.2V @ 250µA
163 nC @ 4.5 V
±20V
24000 pF @ 15 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS0D6N03CT1G
MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
onsemi
3,209
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
1,500 : ¥9.65419
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta），433A（Tc）
4.5V，10V
0.62 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 280µA
145 nC @ 10 V
±20V
10500 pF @ 15 V
-
3.9W（Ta），200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。