单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）3A（Ta）5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 4A，4.5V103 毫欧 @ 1A，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V270 pF @ 10 V940 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
280mW（Tj）500mW（Ta）1.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
SC-70-3（SOT323）SOT-23-3UFM
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式3-SMD，扁平引线SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3415A
MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
173,344
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86086
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5A（Ta）
1.5V，4.5V
45 毫欧 @ 4A，4.5V
900mV @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±8V
940 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
SC-70-3
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
45,844
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28770
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
11,858
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.76809
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
1.5V，4.5V
103 毫欧 @ 1A，4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
±8V
270 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。