单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Ta）46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.9 毫欧 @ 20A，10V14 毫欧 @ 9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.3V @ 14µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.1 nC @ 4.5 V34 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 30 V2175 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta），12.5W（Tc）36W（Tc）
供应商器件封装
DFN2020MD-6PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSDSON-8
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Infineon Technologies
19,555
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.97948
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
46A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 14µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB10XNEZ
MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
17,547
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09952
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
9A（Ta）
1.8V，4.5V
14 毫欧 @ 9A，4.5V
900mV @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±12V
2175 pF @ 10 V
-
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。