单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Microchip TechnologyRohm Semiconductor
包装
散装管件
FET 类型
-N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V700 V1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）7A（Tc）21A（Tc）25A（Tc）35A70A（Tc）77A（Tc）88A（Tc）100A（Tc）113A（Tc）126A（Tc）140A（Tc）-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，20V18V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 40A，20V22 毫欧 @ 40A，20V39 毫欧 @ 27A，18V44 毫欧 @ 30A，20V100 毫欧 @ 15A，20V225 毫欧 @ 8A，20V940 毫欧 @ 2.5A，20V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 4mA2.4V @ 4mA（典型值）2.7V @ 2mA2.7V @ 4.5mA（典型值）2.8V @ 1mA3.25V @ 100µA（典型值）4.5V @ 500µA5.6V @ 13.3mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 20 V36 nC @ 20 V64 nC @ 20 V99 nC @ 20 V104 nC @ 18 V215 nC @ 20 V249 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+22V，-10V+22V，-4V+23V，-10V+25V，-10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
184 pF @ 1360 V530 pF @ 1000 V838 pF @ 1000 V1526 pF @ 500 V2010 pF @ 700 V4500 pF @ 700 V5280 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）
68W（Tc）147W（Tc）182W（Tc）262W（Tc）278W（Tc）283W（Tc）357W（Tc）370W（Tc）455W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D3PAKSOT-227TO-247-3TO-247-4TO-247N
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247N
SCT3030ALGC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Rohm Semiconductor
9,088
现货
1 : ¥245.79000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
70A（Tc）
18V
39 毫欧 @ 27A，18V
5.6V @ 13.3mA
104 nC @ 18 V
+22V，-4V
1526 pF @ 500 V
-
262W（Tc）
175°C（TJ）
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247-4
MSC750SMA170B4
TRANS SJT 1700V TO247-4
Microchip Technology
210
现货
1 : ¥46.05000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
7A（Tc）
20V
940 毫欧 @ 2.5A，20V
3.25V @ 100µA（典型值）
11 nC @ 20 V
+23V，-10V
184 pF @ 1360 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
513
现货
1 : ¥50.82000
管件
-
管件
在售
-
SiCFET（碳化硅）
1700 V
6A（Tc）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
D3PAK
MSC090SMA070S
SICFET N-CH 700V D3PAK
Microchip Technology
103
现货
1 : ¥70.03000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
700 V
25A（Tc）
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO-247-3
MSC035SMA070B
MOSFET N-CH 700V TO247
Microchip Technology
90
现货
1 : ¥123.55000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
700 V
77A（Tc）
20V
44 毫欧 @ 30A，20V
2.7V @ 2mA
99 nC @ 20 V
+25V，-10V
2010 pF @ 700 V
-
283W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
D3PAK
MSC080SMA120S
SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK
Microchip Technology
34
现货
1 : ¥112.71000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
35A
20V
100 毫欧 @ 15A，20V
2.8V @ 1mA
64 nC @ 20 V
+23V，-10V
838 pF @ 1000 V
-
182W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO-247-4
MSC015SMA070B4
TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4
Microchip Technology
46
现货
1 : ¥302.43000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
700 V
140A（Tc）
20V
19 毫欧 @ 40A，20V
2.4V @ 4mA
215 nC @ 20 V
+23V，-10V
4500 pF @ 700 V
-
455W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
MSC017SMA120B4
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Microchip Technology
31
现货
1 : ¥393.64000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
113A（Tc）
20V
22 毫欧 @ 40A，20V
2.7V @ 4.5mA（典型值）
249 nC @ 20 V
+22V，-10V
5280 pF @ 1000 V
-
455W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
150-SOT-227-ISOTOP
MSC017SMA120J
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227
Microchip Technology
2
现货
1 : ¥544.44000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
88A（Tc）
20V
22 毫欧 @ 40A，20V
2.7V @ 4.5mA（典型值）
249 nC @ 20 V
+23V，-10V
5280 pF @ 1000 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
SOT-227
-
TO-247-3
MSC090SMA070B
SICFET N-CH 700V TO247-3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥62.39000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
700 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
MSC180SMA120B
MOSFET 1200V 25A TO-247
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥71.34000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
21A（Tc）
5V，20V
225 毫欧 @ 8A，20V
4.5V @ 500µA
36 nC @ 20 V
+23V，-10V
530 pF @ 1000 V
-
147W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
D3PAK
MSC015SMA070S
SICFET N-CH 700V 126A D3PAK
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥301.20000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
700 V
126A（Tc）
20V
19 毫欧 @ 40A，20V
2.4V @ 4mA（典型值）
215 nC @ 20 V
+23V，-10V
4500 pF @ 700 V
-
370W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
D3PAK
MSC017SMA120S
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-268
Microchip Technology
0
现货
查看交期
30 : ¥360.55733
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
100A（Tc）
20V
22 毫欧 @ 40A，20V
2.7V @ 4.5mA（典型值）
249 nC @ 20 V
+22V，-10V
5280 pF @ 1000 V
-
357W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。