单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A（Ta）42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 42A，10V35 毫欧 @ 7.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
720 pF @ 15 V3500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta）170W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-223-4TO-262
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AATO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
NDT451AN
MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
onsemi
6,413
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.84466
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.2A（Ta）
4.5V，10V
35 毫欧 @ 7.2A，10V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
TO-262-3
IRF4905LPBF
MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Infineon Technologies
10,714
现货
1 : ¥15.11000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
42A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 42A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
170W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。