单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiTexas Instruments
系列
-HEXFET®NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Ta)130mA(Ta)3.7A(Ta)76A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V5V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.9 毫欧 @ 10A,4.5V65 毫欧 @ 3.7A,4.5V7.5 欧姆 @ 500mA,10V10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.15V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.7 nC @ 4.5 V12 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
45 pF @ 25 V50 pF @ 25 V633 pF @ 10 V1790 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)1.3W(Ta)2.8W(Ta),69W(Tc)
供应商器件封装
8-VSONP(3x3.3)Micro3™/SOT-23SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
362,945
现货
6,102,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59042
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
106,522
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92259
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
2.5V,4.5V
65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
131,211
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98619
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
52,272
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.98824
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
76A(Tc)
1.8V,4.5V
8.9 毫欧 @ 10A,4.5V
1.15V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
1790 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSONP(3x3.3)
8-PowerVDFN
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。