单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.7A（Ta）7.5A（Ta）35A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 16A，10V20 毫欧 @ 7.5A，4.5V46 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250µA1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 4.5 V17.3 nC @ 4.5 V35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
930 pF @ 10 V1410 pF @ 10 V2310 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
460mW（Ta），12.5W（Tc）500mW（Ta），8.33W（Tc）2.8W（Ta），53W（Tc）
供应商器件封装
6-TSOP8-VSONP（3x3.3）DFN2020MD-6
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNSC-74，SOT-457
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-VSONP
CSD17577Q3A
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Texas Instruments
19,376
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.96147
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Ta）
4.5V，10V
4.8 毫欧 @ 16A，10V
1.8V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），53W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN42XPEAX
MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
2,895
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.13622
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.7A（Ta）
2.5V，4.5V
46 毫欧 @ 3A，4.5V
1.25V @ 250µA
17.3 nC @ 4.5 V
±12V
1410 pF @ 10 V
-
500mW（Ta），8.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74，SOT-457
6-DFN2020MD_View 2
PMPB20XNEAZ
MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
2,912
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09005
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
7.5A（Ta）
2.5V，4.5V
20 毫欧 @ 7.5A，4.5V
1.25V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±12V
930 pF @ 10 V
-
460mW（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。