单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
OptiMOS™OptiMOS™-5TrenchFET®U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
65A（Tc）80A（Tc）176A（Tc）261A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 50A，10V2 毫欧 @ 100A，10V2.3 毫欧 @ 40A，10V30 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 300µA3.3V @ 120µA4V @ 250µA4.1V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V104 nC @ 10 V130 nC @ 10 V195 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
840 pF @ 50 V3600 pF @ 20 V5100 pF @ 25 V8125 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
630mW（Ta），104W（Tc）3W（Ta），188W（Tc）3.75W（Ta），375W（Tc）313W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）PG-TO263-3PG-WSON-8-2TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
19,014
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.63938
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Tc）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 40A，10V
2.4V @ 300µA
41 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 20 V
-
630mW（Ta），104W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC014N06NSSCATMA1
MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Infineon Technologies
5,959
现货
1 : ¥28.41000
剪切带（CT）
4,000 : ¥13.83719
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
261A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 120µA
104 nC @ 10 V
±20V
8125 pF @ 30 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
TO-263 (D2Pak)
SUM65N20-30-E3
MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Vishay Siliconix
5,169
现货
1 : ¥38.67000
剪切带（CT）
800 : ¥23.33165
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
65A（Tc）
10V
30 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Infineon Technologies
1,451
现货
1 : ¥66.58000
剪切带（CT）
1,000 : ¥37.74786
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
176A（Tc）
10V
2 毫欧 @ 100A，10V
4.1V @ 270µA
195 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 50 V
-
313W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。