单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.STMicroelectronics
系列
STripFET™ F7TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 40A，10V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.68 nC @ 4.5 V42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 15 V2600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），1.14W（Tc）160W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-236ABTO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
NX3008NBK,215
MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
303,312
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
400mA（Tc）
1.8V，4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
D2Pak
STB130N6F7
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
STMicroelectronics
2,970
现货
1 : ¥17.49000
剪切带（CT）
1,000 : ¥8.28816
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A（Tc）
10V
5 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。