单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedRohm SemiconductorSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-STripFET™ F7U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）14A（Ta），54A（Tc）60A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 30A，4.5V8 毫欧 @ 12A，4.5V11 毫欧 @ 7.5A，10V3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 250µA2.4V @ 500µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V63.4 nC @ 10 V72 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 10 V1035 pF @ 30 V4670 pF @ 20 V6909 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）2.4W（Ta），41W（Tc）71W（Tc）87W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
EMT3F（SOT-416FL）POWERDI3333-8PowerFlat™（5x6）TO-220
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-89，SOT-490TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMP2008UFG-7
MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Diodes Incorporated
18,783
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.60590
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
14A（Ta），54A（Tc）
1.5V，4.5V
8 毫欧 @ 12A，4.5V
1V @ 250µA
72 nC @ 4.5 V
±8V
6909 pF @ 10 V
-
2.4W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
EMT3F
RE1C001ZPTL
MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Rohm Semiconductor
28,668
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38482
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.2V，4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
PowerFlat™
STL50N6F7
MOSFET N-CH 60V 60A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,344
现货
1 : ¥9.77000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.04637
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 7.5A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
1035 pF @ 30 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
63
现货
1 : ¥11.00000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
3.8 毫欧 @ 30A，4.5V
2.4V @ 500µA
63.4 nC @ 10 V
±20V
4670 pF @ 20 V
-
87W（Tc）
175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。