单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A（Ta）6.2A（Ta）10.8A（Ta），46.9A（Tc）210A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V3V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 80A，10V17 毫欧 @ 10A，10V25 毫欧 @ 4A，10V28 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250µA2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.2 nC @ 10 V17 nC @ 10 V18.4 nC @ 10 V111 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
386 pF @ 15 V864 pF @ 30 V873 pF @ 15 V8755 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
720mW（Ta）900mW（Ta）3.2W（Ta）3.5W（Ta），300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-HPSOFSOT-23-3TO-252（DPAK）
封装/外壳
8-PowerSFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3023L-7
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
218,962
现货
5,724,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83182
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.2A（Ta）
2.5V，10V
25 毫欧 @ 4A，10V
1.8V @ 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
15,339
现货
1,791,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59847
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252 D-Pak Top
DMTH6016LK3-13
MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Diodes Incorporated
4,111
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.37962
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.8A（Ta），46.9A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-PowerDFN
FDBL0240N100
MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
onsemi
19,612
现货
8,000
工厂
1 : ¥49.26000
剪切带（CT）
2,000 : ¥23.99578
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
210A（Tc）
10V
2.8 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
111 nC @ 10 V
±20V
8755 pF @ 50 V
-
3.5W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。