单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA（Ta）460mA（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
43 毫欧 @ 6A，10V1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.4V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 4.5 V36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V63 pF @ 10 V1260 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）15W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020MD-6SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
455,681
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33699
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV304P
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
onsemi
51,458
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85790
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
460mA（Ta）
2.7V，4.5V
1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±8V
63 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D43-40PX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
20,879
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34171
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
6A（Ta）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 6A，10V
2.7V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 20 V
-
15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。