单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.6 毫欧 @ 20A，10V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA3V @ 250µA
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V2866 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
EMT3F（SOT-416FL）PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-89，SOT-490
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,458,295
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31154
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
PowerPAK SO-8DC
SIDR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Vishay Siliconix
23,749
现货
1 : ¥16.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.29524
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
95A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
2866 pF @ 50 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。