单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Linear Integrated Systems, Inc.Rohm Semiconductor
系列
-SST215
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA（Ta）3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，25V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 3.5A，10V50 欧姆 @ 1mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1µA2.5V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V+30V，-25V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 125°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-143-4TSMT3
封装/外壳
SC-96TO-253-4，TO-253AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSMT3
RQ5E035ATTCL
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
112,975
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88242
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
475 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
4,422
现货
1 : ¥42.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥21.17439
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
50mA（Ta）
5V，25V
50 欧姆 @ 1mA，10V
1.5V @ 1µA
-
+30V，-25V
-
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 125°C（TJ）
表面贴装型
SOT-143-4
TO-253-4，TO-253AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。