单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-CoolMOS™ P7OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）2.5A（Tc）30A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 40A，10V22 毫欧 @ 30A，10V140 毫欧 @ 1.8A，10V2.4 欧姆 @ 800mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 11µA3V @ 250µA3.5V @ 40µA3.8V @ 84µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.5 nC @ 10 V8.6 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V64 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 500 V315 pF @ 40 V1600 pF @ 30 V4700 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）6.3W（Tc）36W（Tc）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT223PG-TO252-3PG-TO252-3-311SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN6140L-13
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Diodes Incorporated
190,037
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.48292
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 1.8A，10V
3V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 40 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IPD220N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Infineon Technologies
17,663
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.52628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 11µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
1600 pF @ 30 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-311
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Infineon Technologies
5,067
现货
1 : ¥22.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.26625
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
80A（Tc）
6V，10V
5 毫欧 @ 40A，10V
3.8V @ 84µA
64 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 50 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-SOT223
IPN80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Infineon Technologies
14,325
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.60543
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
2.5A（Tc）
10V
2.4 欧姆 @ 800mA，10V
3.5V @ 40µA
7.5 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 500 V
-
6.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。