单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）360mA（Ta）1.4A（Tc）25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，8V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.1 毫欧 @ 8A，8V132 毫欧 @ 1.4A，10V1.6 欧姆 @ 350mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V4.1 nC @ 10 V6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V56 pF @ 10 V105 pF @ 15 V879 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）400mW（Ta），500mW（Tc）16W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-WSON（2x2）SC-70-3SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
169,157
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS138BK,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
468,747
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49273
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 350mA，10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Pkg 5549
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
39,083
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97322
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Tc）
2.5V，10V
132 毫欧 @ 1.4A，10V
1.5V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW（Ta），500mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
6-WSON
CSD17318Q2
MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Texas Instruments
10,710
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08051
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Tc）
2.5V，8V
15.1 毫欧 @ 8A，8V
1.2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±10V
879 pF @ 15 V
-
16W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。