单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronics
系列
HEXFET®QFET®STripFET™ III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）45A（Tc）270A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 80A，10V48 毫欧 @ 26A，10V270 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
53.5 nC @ 10 V110 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1080 pF @ 25 V4560 pF @ 25 V7500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
160W（Tc）300W（Tc）330W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
10-PowerSOPG-TO263-3TO-252AA
封装/外壳
PowerSO-10 裸露底部焊盘TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4229TRLPBF
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Infineon Technologies
4,124
现货
1 : ¥38.09000
剪切带（CT）
800 : ¥22.97725
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
45A（Tc）
10V
48 毫欧 @ 26A，10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4560 pF @ 25 V
-
330W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,140
现货
1 : ¥45.32000
剪切带（CT）
600 : ¥27.36175
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
1.5 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
TO-252AA
FQD16N25CTM
MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥9.44000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.88880
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
16A（Tc）
10V
270 毫欧 @ 8A，10V
4V @ 250µA
53.5 nC @ 10 V
±30V
1080 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。