单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDInfineon TechnologiesMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS®-P2SymFET™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
6 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)1.8A(Ta)9.3A(Tc)18A(Tj)82A(Tj)90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.1 毫欧 @ 90A,10V13 毫欧 @ 20A,10V71 毫欧 @ 5A,10V150 毫欧 @ 5A,10V160 毫欧 @ 100mA,4.5V5 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA2V @ 253µA2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.8 nC @ 10 V7.4 nC @ 5 V16.4 nC @ 10 V75 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V6V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
14 pF @ 50 V600 pF @ 5.5 V695 pF @ 25 V773 pF @ 50 V3775 pF @ 50 V11300 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)568mW(Ta)36W(Tc)65W(Tc)137W(Tc)238W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
LFPAK33LFPAK56,Power-SO8PG-TO252-3-11SOT-143SOT-23
封装/外壳
SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-253-4,TO-253AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK33
PSMN075-100MSEX
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
49,760
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.73059
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
18A(Tj)
10V
71 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
16.4 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 50 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN013-100YSEX
MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
53,025
现货
1 : ¥14.53000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.91490
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
82A(Tj)
10V
13 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 1mA
75 nC @ 10 V
±20V
3775 pF @ 50 V
-
238W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO252-3
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Infineon Technologies
2,565
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.95752
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
90A(Tc)
-
4.1 毫欧 @ 90A,10V
2V @ 253µA
160 nC @ 10 V
+5V,-16V
11300 pF @ 25 V
-
137W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT 143
MIC94050YM4-TR
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
Microchip Technology
8,883
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.77630
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
6 V
1.8A(Ta)
1.8V,4.5V
160 毫欧 @ 100mA,4.5V
1.2V @ 250µA
-
6V
600 pF @ 5.5 V
-
568mW(Ta)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-143
TO-253-4,TO-253AA
LFPAK33
BUK9M156-100EX
MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,075
现货
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.07073
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
9.3A(Tc)
5V
150 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 1mA
7.4 nC @ 5 V
±10V
695 pF @ 25 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
95,299
现货
1 : ¥1.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.18955
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 200mA,10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 6

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。