单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
330mA（Ta）3.2A（Ta）3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V3V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
72 毫欧 @ 3.8A，4.5V122 毫欧 @ 3.2A，4.5V2 欧姆 @ 330mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250µA2V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.57 nC @ 10 V5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+8V，-10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
78 pF @ 25 V255 pF @ 15 V388 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）550mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020MD-6PG-SOT23
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
129,739
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78380
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
330mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 330mA，10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
PMPB55XNEAX
MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN
Nexperia USA Inc.
6,360
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.23285
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
2.5V，4.5V
72 毫欧 @ 3.8A，4.5V
1.25V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±12V
255 pF @ 15 V
-
550mW（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB100XPEAX
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN
Nexperia USA Inc.
170
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71689
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Ta）
3V，4.5V
122 毫欧 @ 3.2A，4.5V
1.25V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
+8V，-10V
388 pF @ 10 V
-
550mW（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。