单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
OptiMOS™PowerTrench®
漏源电压（Vdss）
80 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）158A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 100A，10V5.9 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 108µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
87 nC @ 10 V92 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6240 pF @ 40 V9445 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
167W（Tc）429W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO220-3TO-247-3
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AD EP
FDH055N15A
MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3
onsemi
7,412
现货
1 : ¥59.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
158A（Tc）
10V
5.9 毫欧 @ 120A，10V
4V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±20V
9445 pF @ 75 V
-
429W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
IPP034N08N5AKSA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Infineon Technologies
414
现货
1 : ¥23.07000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
6V，10V
3.4 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 108µA
87 nC @ 10 V
±20V
6240 pF @ 40 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。