单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™ 5TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）7.4A（Ta），46A（Tc）16A（Ta），55.5A（Tc）17A（Ta），86A（Tc）24A（Ta），81.2A（Tc）28A（Tc）31A（Ta），100A（Tc）32A（Tc）40A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 20A，10V4.2 毫欧 @ 10A，10V4.5 毫欧 @ 20A，10V7 毫欧 @ 20A，10V8.5 毫欧 @ 10A，10V8.7 毫欧 @ 20A，10V19.3 毫欧 @ 10A，10V25 毫欧 @ 10.2A，10V33 毫欧 @ 10A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.3V @ 26µA2.3V @ 36µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V39 nC @ 10 V41 nC @ 10 V50 nC @ 10 V60 nC @ 10 V65 nC @ 10 V150 nC @ 10 V155 nC @ 10 V160 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 25 V1975 pF @ 50 V2000 pF @ 20 V2070 pF @ 40 V2340 pF @ 40 V2500 pF @ 30 V3420 pF @ 40 V4500 pF @ 25 V4700 pF @ 40 V5100 pF @ 40 V12900 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）2.5W（Ta），65W（Tc）4.1W（Ta），46.2W（Tc）4.8W（Ta），57W（Tc）5W（Ta），73.5W（Tc）5.2W（Ta），83.3W（Tc）5.4W（Ta），83W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）68W（Tc）69W（Tc）100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-25PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
显示
/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
842,054
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
49,966
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.01923
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Tc）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TSDSON-8
BSZ070N08LS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Infineon Technologies
4,448
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.62421
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
40A（Tc）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 36µA
5 nC @ 4.5 V
±20V
2340 pF @ 40 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7155DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Vishay Siliconix
28,470
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.37022
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
31A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
12900 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,174
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.17799
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Tc）
6V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 40 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIRA74DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Vishay Siliconix
14,412
现货
1 : ¥8.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.31520
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），81.2A（Tc）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
+20V，-16V
2000 pF @ 20 V
-
4.1W（Ta），46.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8S
SISS30LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
Vishay Siliconix
10,881
现货
1 : ¥10.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.24445
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
16A（Ta），55.5A（Tc）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2070 pF @ 40 V
-
4.8W（Ta），57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
ISZ0702NLSATMA1
ISZ0702NLSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Infineon Technologies
8,172
现货
1 : ¥10.26000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.02724
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Ta），86A（Tc）
4.5V，10V
4.5 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 26µA
39 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-25
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIR882ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.93295
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 20A，10V
2.8V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1975 pF @ 50 V
-
5.4W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7469DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48435
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK_SO-8_Single
SI7469ADP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥13.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.26851
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
7.4A（Ta），46A（Tc）
-
19.3 毫欧 @ 10A，10V
2.6V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
3420 pF @ 40 V
-
5W（Ta），73.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 11

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。