单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta），132A（Tc）64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 48A，10V20 毫欧 @ 64A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 270µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V89 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4411 pF @ 50 V7000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），139W（Tc）300W（Tc）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PG-TO263-3-2
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS3D6N10MCLT1G
MOSFET N-CH 100V 20A/132A 5DFN
onsemi
1,164
现货
1 : ¥26.68000
剪切带（CT）
1,500 : ¥13.79785
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
20A（Ta），132A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 48A，10V
3V @ 270µA
60 nC @ 10 V
±20V
4411 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB64N25S320ATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Infineon Technologies
4,117
现货
1 : ¥52.95000
剪切带（CT）
1,000 : ¥27.39348
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
64A（Tc）
10V
20 毫欧 @ 64A，10V
4V @ 270µA
89 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。