单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
GeneSiC SemiconductorLittelfuse Inc.
系列
G3R™HiPerFET™, Trench
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
100 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
61A（Tc）360A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 180A，10V58 毫欧 @ 40A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 8mA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
182 nC @ 15 V505 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4523 pF @ 1000 V36000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
438W（Tc）830W（Tc）
安装类型
底座安装通孔
供应商器件封装
SOT-227BTO-247-3
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOCTO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3
G3R45MT17D
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
1,003
现货
1 : ¥268.71000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
61A（Tc）
15V
58 毫欧 @ 40A，15V
2.7V @ 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
IXYK1x0xNxxxx
IXFN360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥227.33000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
360A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 180A，10V
4.5V @ 250µA
505 nC @ 10 V
±20V
36000 pF @ 25 V
-
830W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4，miniBLOC
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。