单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）4A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.5V，4.5V1.8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
38 毫欧 @ 3.6A，4.5V42 毫欧 @ 5A，10V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.3 nC @ 4.5 V8.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V339 pF @ 10 V560 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）940mW1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
EMT3F（SOT-416FL）SOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
SC-89，SOT-490SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,458,307
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31152
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
SOT-23-3
DMN2056U-7
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Diodes Incorporated
66,966
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71835
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
339 pF @ 10 V
-
940mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
101,277
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62271
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。