单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）1.6A（Ta）1.6A（Tc）13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
205 毫欧 @ 7.8A，10V220 毫欧 @ 1.6A，10V300 毫欧 @ 1.5A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 25µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 10 V58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
46 pF @ 25 V152 pF @ 50 V290 pF @ 25 V760 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）1.3W（Ta）2W（Tc）66W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN53D0LQ-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Diodes Incorporated
186,136
现货
3,516,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
500mA（Ta）
2.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
46 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
34,830
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16184
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR5410TRPBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Infineon Technologies
18,004
现货
1 : ¥11.58000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.78063
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13A（Tc）
10V
205 毫欧 @ 7.8A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
SQ2398ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
219,574
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.88689
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.6A（Tc）
10V
300 毫欧 @ 1.5A，10V
3.5V @ 250µA
3.4 nC @ 10 V
±20V
152 pF @ 50 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。